半導体研究・試作施設（共同研究開発センター）

クリーンルーム内の半導体製造設備（前工程）や実装・評価設備（後工程）を一般に開放しています。本センターの設備だけでC-MOSなどの集積回路の試作・評価が可能で、半導体やMEMSデバイスの研究開発や教育に利用することができます。

お知らせ

共同研究開発センターについて

ケミカルプロセス室　（クリーンルーム）

シランを使った成膜（Poly－Si、SiO2、Si3N4）、イオン注入、ドライエッチングなど、IC試作全工程が可能です。また酸及び有機用のドラフトチャンバでは、薬品を使った様々な実験が出来ます。（但し、薬品持込については事前にご相談ください）

イエロールーム　（クリーンルーム）

紫外線、電子線光を使ったフォトリソグラフィを行います。ステッパーによるマスクパターン転写の他、電子線描画装置による直接描画も可能です。電子線描画装置を用いて、精度の良いマスク作製が可能です。干渉縞を応用した膜厚測定器によりPoly－Si、SiO2、Si3N4、レジスト等の膜厚を測定することができます。

組立・測定室

作製したデバイスの電気特性を評価するスペースです。半導体デバイスアナライザにより、トランジスタの各種電気特性を測定できます。マニュアルプローバーによりウェハ、チップレベルで直接針を当てて測定できます。また、電子顕微鏡により微細パターン観察ができます。マニュアルワイヤーボンダーによりセラミックパッケージへのワイヤリングも可能です。

レイアウト設計室

フォトマスクのレイアウト設計をCADを使って行います。ここで作成したデータを、レーザー描画装置にネットワーク経由で転送し、マスクを作製します。

ご利用可能な設備の詳細は、共同研究開発センター設備一覧をご覧ください

共同研究開発センター設備一覧

ご利用について

ご利用時間

平日　9:00～17:00

ご利用料金

※公共団体や大学等の営利を主たる目的としない使用の場合は半額

ご利用手順

①ご利用希望内容・時間などを、電話・FAX・メールで当センターへお問い合わせください。

②当センターで対応可能な案件かを、専任技術スタッフが検討いたします。その結果、対応可能であれば、内容・スケジューリングなどを調整させていただきます。

③調整が終わりましたら、設備予約処理をスタッフが行います。

④初めてのご利用者には、クリーンルーム入室前の安全講習を受けていただきます（30分程度）。

⑤ご利用のはじめのうちは技術スタッフ立会いのもと装置利用を行っていただきます。ご利用者が自分で操作できるようになるまで、専任技術スタッフが操作指導を行いますので、慣れないうちでも安心して実験が可能です。自らオペレーション可能と判断された方は、装置仕様の範囲内でレシピ変更も可能になるなど、自由度の高い装置利用が可能になります。

⑥ご利用終了後は、利用報告書をご記入・提出いただきます。

お支払いについて

ご利用後の銀行振込とさせていただきます。「学術研究施設使用料後納願」の提出が必要です。詳細は当センターまでお問い合わせください。
※学研都市入居企業様、財団の特別研究員の資格をお持ちの方は不要です。

お問い合わせ

詳細は当センターまでお問い合わせください。